英诺赛科（Innoscience）创立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN ）的生产基地。英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。